適用製品
半導体基板の製造方法、及びエピタキシャル構造体の製造方法
目的
基板とエピタキシャル薄膜との界面近傍に意図しない伝導層が形成されることを有効に抑制できる、半導体基板の製造方法、及びエピタキシャル構造体の製造方法を提供する。
効果
基板とエピタキシャル薄膜との界面近傍に意図しない伝導層が形成されることを有効に抑制できる。
技術概要
基板上に半導体薄膜をエピタキシャル成長させるための下地基板として用いられる半導体基板の製造方法であって、
基板の表面に、５×１０↑(２０)〜５×１０↑(２１)ｃｍ↑(−３)のイオン注入濃度で不純物であるイオンをイオン注入するイオン注入工程と、
前記イオン注入した前記基板を、不活性ガス雰囲気下でアニール処理するアニール処理工程と、を含む、半導体基板の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
