目的
磁性細線に情報を書き込むときに磁壁の揺らぎを低減した磁区を形成することができる磁性細線メモリおよびその製造方法を提供する。
効果
磁壁の揺らぎを抑制することができる。これにより、記録ビットに相当する一定長の磁区を安定して形成することができる。
記録素子の膜厚を調整して加工することで、磁性細線と記録素子との高精度な位置合わせを不要とすることができる。これにより、磁性細線メモリの製造における歩留まりを向上させることができる。
技術概要
基板と、
前記基板上に設けられた直線状の記録素子と、
前記記録素子の側面の少なくとも一部を被覆するように所定の膜厚で前記基板上に設けられる絶縁層と、
前記記録素子と前記絶縁層とが接続して前記記録素子と前記絶縁層とが隣り合う所定領域であって前記記録素子の上面の所定領域と前記絶縁層の上面の所定領域とを連続するように被覆する層間絶縁層と、
前記層間絶縁層の上に上面視において前記記録素子に直交するように配置される磁性細線と、を備え、
前記記録素子の上面の高さが隣り合う前記絶縁層の上面の高さより高く、
前記記録素子の直上における前記磁性細線の上面の高さが、前記記録素子に隣り合う絶縁層の直上における前記磁性細線の上面の高さより高く、
前記記録素子の直上における前記磁性細線の下面の高さが、前記記録素子に隣り合う絶縁層の直上における前記磁性細線の下面の高さより高いことを特徴とする磁性細線メモリ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
