薄膜トランジスタを備えた撮像素子及びその製造方法

開放特許情報番号:L2026001546 開放特許情報登録日:2026/10/15 最新更新日:2026/10/15

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2022/6/24
公開日
2024/1/11
出願人
日本放送協会
特許権者
日本放送協会
権利化状況
権利化済
発明の名称
薄膜トランジスタを備えた撮像素子及びその製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
その他
適用製品
垂直色分離型の撮像素子及びその製造方法
目的
垂直色分離型の撮像素子において、画素開口率を層間で変化させることなく、かつ画素開口率を低下させることなく、各層にて適切な大きさの蓄積容量を設けた撮像素子及びその製造方法を提供する。
効果
垂直色分離型の撮像素子において、画素開口率を層間で変化させることなく、かつ画素開口率を低下させることなく、各層にて適切な大きさの蓄積容量を設けることができる。
技術概要
少なくともN(Nは2以上の整数)以上の波長域の光を入射したときの入射方向である上から下へ向けた順に、第Nから第1までの複数の層が積層して構成され、
複数の層のうち第1以外の層(第n(nはN以下かつ2以上の整数)の層)のそれぞれが、第nの光電変換層と、第nの信号読み出し回路と、を備え、
第1の層が、第1の光電変換層と、第1の信号読み出し回路と、を備えた垂直色分離型の撮像素子において、
第Nから第1までの信号読み出し回路は、少なくとも1つのTFTを備えると共に、配線及び蓄積容量用電極を備え、
第Nから第1までの光電変換層は、画素電極、有機膜及び対向電極を備えており、
TFTは、入射の逆方向である下から上へ向けて、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体、ソース・ドレイン電極及び保護膜の順に積層して構成され、
蓄積容量用電極は、入射方向からの平面視で全面が画素電極に覆われると共に、画素電極との間で保護膜を挟むように、画素電極の下部であって、ゲート絶縁膜の直上かつ保護膜の直下に設けられており、ソース・ドレイン電極と同一の材料及び膜厚からなり、かつ同時に形成された電極である撮像素子。
イメージ図
実施実績   :
無
許諾実績 :
無
特許権譲渡  :
否
特許権実施許諾:
可
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内): 無
(国外): 無
固定URLをクリップボードにコピーしました。
Copyright © INPIT Rights Reserved