目的
犠牲層の除去の精度が高く、微細な形状やパターンからなる酸化物膜の形成方法の提供を目的とする。
効果
パターニングされた酸化物膜の形成方法は、犠牲層としてＳｒＣＯ↓３からなる薄膜層を用いたので、炭酸水にて容易にリフトオフでき、その残渣物の量が少ない微細な形状や所望するパターン形成が可能となる。
技術概要
基板の表面にパターン形成されたＳｒＣＯ↓３膜を形成するステップと、
その上に酸化物膜を形成するステップと、
前記ＳｒＣＯ↓３膜を有する部分を除去するステップとを有することを特徴とするパターニングされた酸化物膜の形成方法。
基本情報
開放特許情報
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