目的
簡単な構造かつ高いエネルギ使用効率でテラヘルツ波領域から中赤外域のスペクトルが制御された光を放出させることができる発光素子を提供する。
効果
簡単な構造かつ高いエネルギ使用効率でテラヘルツ波領域から中赤外域のスペクトルが制御された光を放出させることができる発光素子を提供することができる。
技術概要
誘電体、低電気伝導率半導体または高電気伝導率の間接遷移型半導体からなる基板の表面に金属または高電気伝導率半導体の被覆部が被覆された発光素子であって、
前記被覆部間において前記基板の表面が露出する露出部の短手寸法が縦光学フォノンまたは縦光学様フォノンのコヒーレンス長さ程度またはそれ以下であり、
前記露出部から前記誘電体、前記低電気伝導率半導体または前記間接遷移型半導体の縦光学フォノンまたは縦光学様フォノンに共鳴する光を放出させる発光素子。
基本情報
開放特許情報
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