記憶装置及びメモリシステム

開放特許情報番号：L2026001228 開放特許情報登録日：2026/8/25 最新更新日：2026/8/25

基本情報

出願番号

公開番号

WO2024/252842

出願日

2024/5/9

公開日

2024/12/12

出願人

国立研究開発法人科学技術振興機構

権利化状況

権利化前

発明の名称

記憶装置及びメモリシステム

開放特許情報

技術分野

電気・電子

機能

機械・部品の製造その他

適用製品

記憶装置及びメモリシステム

目的

エンデュランス特性が高い記憶装置を提供する。

効果

エンデュランス特性が高い記憶装置を実現することができる。

技術概要

半導体層と、
前記半導体層と対向するゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた絶縁層と、
前記絶縁層と前記ゲート電極との間に設けられ、酸化ハフニウムを含む強誘電体層と、を備え、
前記強誘電体層の膜厚は、３ｎｍより大きく７ｎｍより小さい記憶装置。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

否

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

その他の情報