適用製品
本特許は、半導体・液晶製造用高純度オゾン供給装置、オゾン水製造装置、排ガス処理設備、紙パルプ漂白設備などのオゾンガス精製ユニットに適用可能です。
目的
本特許は、オゾン発生効率を高めるために原料ガスへ窒素を添加した際、副生成する窒素酸化物と硝酸が配管腐食や装置大型化の原因となっていた問題を解決することを目的としています。限られたスペースでも設置でき、吸着剤交換頻度を減らしながら、高濃度オゾンを安定的に供給できる窒素酸化物除去方法・装置を提供することを狙いとしています。
効果
本特許は、並列配置した除去筒を切替運転し、片方で吸着・もう片方で加熱再生を行うことで、窒素酸化物除去を止めることなく連続運転できる効果があります。吸着剤を100〜200℃で徐々に加熱しながらパージすることで再生率80％以上を達成し、吸着剤寿命を大幅に延長します。その結果、装置を小型化でき、配管腐食リスクを抑えつつ高純度オゾンを安定供給できる点が事業上の大きなメリットです。
技術概要
本特許は、酸素ガスに少量の窒素ガスを加えてオゾン発生装置で生成したオゾンガスから、配管腐食の原因となる五酸化二窒素および硝酸などの窒素酸化物を効率よく除去する方法に関する。高純度シリカゲルを充填した複数の除去筒を並列配置し、少なくとも２塔を切替使用する。一方の除去筒ではオゾンガスを導入して窒素酸化物を吸着させ（吸着工程）、他方の除去筒ではパージガス（酸素または不活性ガス）を導入しつつ、筒内のシリカゲルを100〜200℃まで徐々に加熱して窒素酸化物を脱離させ再生する（脱離工程）。この吸着・脱離を交互かつ連続的に行うことで、高純度オゾンを連続供給しながら、吸着剤の再生率80％以上を達成し、装置の小型化と長期安定運転を可能にする点に特徴がある。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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