半導体装置及びその製造方法

開放特許情報番号:L2026001127 開放特許情報登録日:2026/7/27 最新更新日:2026/7/27

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2010/2/12
公開日
2011/3/24
出願人
株式会社ディスコ
特許権者
株式会社ディスコ
権利化状況
権利化済
発明の名称
半導体装置及びその製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
半導体装置及びその製造方法並びにシステム
目的
信頼性の高い半導体基板上の回路基板を低コストで供給する。
効果
信頼性の高い回路基板を低コストで供給することが可能となる。
技術概要
フォトリソグラフィー法により形成された内部端子電極を有する半導体基板、及び前記内部端子電極と外部とを配線層を介して電気的に接続する外部端子電極を含む回路基板、を含む半導体装置の製造方法であって、
前記内部端子電極を含む前記半導体基板の表面の一部が露出するような開口部を有する金属性のメタルマスクを前記半導体基板に被せるマスク工程と、
前記半導体基板の表面の一部及び前記メタルマスク上に、イオンプレーティング法により金属性の導体を形成する成膜工程と、
前記メタルマスクを剥離することによって、前記半導体基板の表面の一部に形成された金属性の導体からなる配線層を残存させるリフトオフ工程と、
前記配線層に電気的に接続された前記外部端子電極を形成する電極形成工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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