目的
エッチング液の種類を変化させてウェットエッチングを行うことにより、III族半導体の表面を、常温の条件下で所望の形状に加工することができる表面処理方法を提供する。
効果
エッチング液の種類を変化させてウェットエッチングすることにより、III族半導体基板の表面を所望の形状に加工することができる。
技術概要
III族半導体基板の表面を、ウェットエッチングにより加工する表面処理方法であって、
水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液とアルコールを含む複数の表面処理溶液から少なくとも１つの表面処理溶液を選択する選択工程と、
前記選択工程で選択された表面処理溶液に、前記III族半導体基板を浸漬させる浸漬工程と、を備えた、表面処理方法。
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開放特許情報
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