電気デバイスおよびメモリ素子

開放特許情報番号:L2026001081 開放特許情報登録日:2026/7/8 最新更新日:2026/7/8

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2023/12/12
公開日
2025/6/24
出願人
国立研究開発法人理化学研究所
権利化状況
権利化前
発明の名称
電気デバイスおよびメモリ素子
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
スキルミオンを用いた電気デバイスおよびメモリ素子
目的
スキルミオンが存在する磁性体薄膜に交流電流を流したときの特性を利用した電気デバイスおよびメモリ素子を提供する。
効果
インダクタおよびキャパシタの少なくとも一方として動作する電気デバイスを提供する。
スキルミオンの有無により情報を記憶するメモリ素子を提供する。
技術概要
インダクタおよびキャパシタの少なくとも一方として動作する電気デバイスであって、
印加磁場に応じて、スキルミオンが発生するスキルミオン結晶相と強磁性相とが少なくとも発現する磁性体薄膜と、
前記磁性体薄膜に接続され、前記磁性体薄膜の主面における第1方向に、前記インダクタまたは前記キャパシタに印加される交流の印加信号に応じた交流の印加電流を流す一対の第1電極と
を備え、
一対の前記第1電極が、前記インダクタまたは前記キャパシタの2つの端子として機能する電気デバイス。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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