目的
従来のトレンチやフィン構造を有するβ−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶を備える半導体装置の問題を解決して、加工ダメージが少なく、結晶表面や接合界面での界面準位の発生が抑制されて良好なデバイス特性が得られ、また、微細加工に適した、β−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶からなる半導体（β−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶半導体）を用いた半導体装置、当該半導体装置を有するパワーデバイス（特にβ−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶半導体の特性を活かしたパワーデバイス）、および当該半導体装置の製造方法を提供する。
効果
加工ダメージが少なく、結晶表面や接合界面での界面準位の発生が抑制されて良好なデバイス特性が得られ、また、微細加工に適した、β−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶を半導体材料として用いたトレンチ（凹）あるいはフィン（凸）構造を有する半導体装置、特にβ−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶半導体の特性を活かしたパワーデバイスおよびその製造方法が提供される。
技術概要
β−Ｇａ↓２Ｏ↓３結晶からなる半導体層を有し、
前記半導体層は第１主表面に線状突起または溝の立体構造を有し、
前記立体構造の側面が（１００）ファセット面である、半導体装置。
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