適用製品
磁気接合体、ＴＭＲ素子、ＴＭＲ素子アレイ、磁気センサ、リニアエンコーダ用磁気センサ及び磁気式ロータリーエンコーダ
目的
抵抗変化率が大きく、検出磁界の方向のずれによりＲ−Ｈ特性が非対称になりにくい、磁気接合体、ＴＭＲ素子、磁気センサ、ＴＭＲ素子アレイ、磁気センサ、リニアエンコーダ用磁気センサ及び磁気式ロータリーエンコーダを提供する。
効果
偶関数型のＲ−Ｈ特性を示し、奇関数型のスピンバルブ型と同等の１５０％超える抵抗変化率を示す。この抵抗変化率は、シングルソフトピン型ＴＭＲセンサの約１．５倍に相当している。そのため、ＴＭＲ素子を用いた磁気センサは、高感度であり、より高精度な位置検出ができる。
ＴＭＲ素子は、検出対象磁界の向きが自由層の磁化困難軸方向からずれても、従来のシングルソフトピン型に比べ、Ｒ−Ｈ特性の非対称性が小さく、より高精度な位置検出ができ、実装性に優れる。
技術概要
反強磁性層と、
前記反強磁性層と磁気的に結合して磁化が固定された強磁性層と、
磁化容易軸と、前記磁化容易軸と直交する磁化困難軸と、を有し、前記強磁性層の磁化に対して磁化が回転可能な第１の自由層と、
トンネル障壁層と、
磁化容易軸と、前記磁化容易軸と直交する磁化困難軸と、を有し、前記強磁性層の磁化に対して磁化が回転可能な第２の自由層と、を備え、
前記トンネル障壁層は、前記第１の自由層と前記第２の自由層とに挟まれ、
前記第１の自由層及び前記第２の自由層は、強磁性の金属を含み、
検出対象磁界は、前記第１の自由層及び前記第２の自由層の磁化困難軸方向に印加される成分を有するように構成され、
前記第１の自由層の磁化と前記第２の自由層の磁化とは、外部磁界が印加されていない状態で、互いに反平行な配列で安定化し、
前記第１の自由層の磁化と前記第２の自由層の磁化とは、前記第１の自由層及び前記第２の自由層の前記磁化困難軸方向に印加される外部磁界の強度が、前記第１の自由層及び前記第２の自由層の飽和磁界に到達した状態で、互いに平行な配列になる、磁気接合体。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
