光スイッチング素子及び光スイッチング素子の製造方法

開放特許情報番号：L2026001049 開放特許情報登録日：2026/7/6 最新更新日：2026/7/6

基本情報

出願番号

公開番号

出願日

2025/7/3

公開日

2026/1/19

出願人

国立研究開発法人理化学研究所

権利化状況

権利化前

発明の名称

光スイッチング素子及び光スイッチング素子の製造方法

開放特許情報

技術分野

情報・通信

機能

機械・部品の製造その他

適用製品

光スイッチング素子及び光スイッチング素子の製造方法

目的

小型で消費電力が小さく、且つ、高速スイッチングを実現する全光スイッチング素子を提供する。

効果

小型且つ低消費電力の特性を有する全光スイッチング素子のスイッチングを高速化することができる。

技術概要

基板及び屈折率変調層を備え、
前記基板は絶縁体層及び半導体層を含み、
前記半導体層は光共振器を有し、
前記屈折率変調層は前記光共振器上に設けられ、二次元材料を含む、光スイッチング素子。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

可

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

その他の情報