目的
高出力化が容易で、低発散の発振動作が期待できるＰｈＣ−ＱＣＬ素子を提供する。
効果
高い出力の面発光のレーザー発振動作が実現され、量子カスケードレーザーやそれを用いる電子機器の発達に寄与する。
技術概要
ある範囲を超えて広がる一様な膜である第１の電極と、
該第１の電極の上または上方に配置されており、繰り返して積層されている複数の単位構造からなる活性領域を有している半導体超格子構造と、
該半導体超格子構造の上または上方に配置されている第２の電極と
を備えており、
前記第１の電極と前記半導体超格子構造との間、または前記半導体超格子構造と前記第２の電極との間の少なくともいずれかにプラズマ導電層が少なくとも一層配置されており、前記第１の電極と前記第２の電極との間における放射場磁場は厚み方向の座標についての２階微分値が非ゼロとなるようにされており、
該第２の電極には、それ自体を厚み方向に通り抜ける開口の配列を含むフォトニック結晶が前記範囲に広がるように形成されており、
前記第２の電極が放射面である、
量子カスケードレーザー素子。
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
