目的
正ベベル終端部構造の耐圧の高い半導体装置、特にパワー用途に好適な耐圧の高い整流素子をダメージが少なく安定的に提供する。また、その半導体装置の製造方法を提供する。
効果
正ベベル終端部構造の耐圧の高い半導体装置、特にパワー用途に好適な耐圧の高い整流素子をダメージが少なく安定的に提供することが可能になる。また、その半導体装置の製造方法を提供することが可能になる。
技術概要
下部電極、基板、ウルツ構造の単結晶ＧａＮからなる半導体層、および上部電極が順次積層された半導体装置であり、
前記半導体層は、平面がｍ軸に対して垂直な辺からなる六角形であり、かつ断面が傾斜角４３．２±５°または６２．０±５°の逆テーパーアンダーカット形状である、半導体装置。
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