適用製品
ホウ素ドープダイヤモンドＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法
目的
３００℃というような高温環境で、ドレイン電流Ｉ↓Ｄ、相互コンダクタンスｇ↓ｍおよびＯＮ／ＯＦＦ比特性などのトランジスタとしての電気特性が優れる、ｐ型の単結晶ダイヤモンドＭＯＳＦＥＴ（ダイヤモンドＭＯＳＦＥＴとも称す）およびその製造方法を提供する。
効果
３００℃というような高温環境で、ドレイン電流Ｉ↓Ｄ、相互コンダクタンスｇ↓ｍおよびＯＮ／ＯＦＦ比特性などのトランジスタとしての電気特性が優れる、ｐ型の単結晶ダイヤモンドＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法が提供される。
技術概要
単結晶ダイヤモンド基板の第１主表面に接してホウ素（Ｂ）がドープされたダイヤモンド単結晶からなる半導体層が形成されており、
前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が形成されており、
前記ソース電極とドレイン電極以外の前記半導体層の第１主表面は絶縁膜で覆われており、
前記絶縁膜上の前記ソース電極とドレイン電極で挟まれ、かつ前記ソース電極とドレイン電極と電気的に接触しない領域の一部の場所にゲート電極が形成され、
前記ゲート電極、前記ソース電極、および前記ドレイン電極の各端部、並びに露出している前記絶縁膜の表面を覆う酸化膜が形成されている、ホウ素ドープダイヤモンドＭＯＳＦＥＴ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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