目的
単結晶ダイヤモンド基板を加工するドライ研磨にて、高能率な加工を実現可能な加工方法及び加工装置を提供する。
効果
単結晶ダイヤモンド基板を加工するドライ研磨にて、高能率な加工を実現可能な加工を実現することができる。
技術概要
絶縁性材料で構成された加工部材と、単結晶ダイヤモンドで構成された被加工物の接触部位に窒素ガスを供給すると共に、前記被加工物は固定し、前記加工部材を同被加工物に接触させた状態で、同加工部材を同被加工物の研磨レートの高い方向に相対的に変位させる第１の工程と、
前記第１の工程の後、前記加工部材と前記被加工物の接触部位に窒素ガスを供給すると共に、前記加工部材を前記被加工物に接触させた状態で、同加工部材と同被加工物の両方を相対的に変位させる第２の工程を備える
加工方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
