固体電解質型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに固体電解質型ガスセンサ

開放特許情報番号:L2026000951 開放特許情報登録日:2026/6/10 最新更新日:2026/6/10

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2024/3/6
公開日
2025/9/19
出願人
国立大学法人 熊本大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
固体電解質型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに固体電解質型ガスセンサ
開放特許情報
技術分野
情報・通信 化学・薬品 無機材料
機能
機械・部品の製造 その他
適用製品
固体電解質型ガスセンサ素子及びその製造方法、固体電解質型ガスセンサ
目的
従来の固体電解質を用いた固体電解質型ガスセンサの性能を維持しながら、環境負荷が小さく、製造コストを低減し得るゼオライトの緻密体を用いた固体電解質型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに固体電解質型ガスセンサを提供する。
効果
従来の固体電解質を用いた固体電解質型ガスセンサの性能を維持しながら、環境負荷が小さく、製造コストを低減し得るゼオライトの緻密体を用いた固体電解質型ガスセンサ素子及びその製造方法、並びに固体電解質型ガスセンサを提供することができる。
技術概要
第1電極層と
測定対象ガスによる起電できるガス検知層と、
イオン伝導性を有する固体電解質層と
第2電極層と、をその順に有する固体電解質型ガスセンサ素子であって、
前記ガス検知層が金属無機酸塩を含み、
前記固体電解質層が下記一般式(1)で表されるゼオライトの緻密体を含み、
前記ゼオライトの緻密体のイオン伝導度が、1.0×10↑(−3)S・cm↑(−1)以上であり、
前記ゼオライトの緻密体の嵩密度が、1.6g/cm↑3以上2.0g/cm↑3以下である、固体電解質型ガスセンサ素子。
(M↓(1/n))↓x(Al↓xSi↓yO↓(2(x+y)))・zH↓2O・・・(1)
(式(1)中、Mは、Na、Li、Kから選択された一種又は二種以上の金属元素であり、0≦x≦y、0≦z≦216、nは価数である。)
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
国立大学法人熊本大学
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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