目的
供給する電流の電流密度を高くすることなく、磁性細線に磁壁を生成することができる磁壁移動素子の初期化方法、ならびに電流密度の高くない電流による初期化が可能な磁気メモリや空間光変調器を備える磁気装置を提供する。
効果
磁壁移動素子の初期化方法によれば、磁壁移動素子の磁性細線に電流密度の高い電流を供給する必要がないので、磁性細線、および磁性細線に接続されるスイッチング素子や配線を大電流に耐える構造とする必要がない。磁気装置によれば、空間光変調器や磁気メモリの高精細化が容易となる。
技術概要
垂直磁気異方性材料からなる磁性層とスピンホール効果を有するチャネル層とを積層して細線状に形成してなる磁性細線と、前記磁性細線の上側または下側であって細線方向における一部に配置された垂直磁気異方性の硬磁性材料からなる磁界印加部材と、を備え、前記磁性細線に電流を細線方向に供給されると、前記磁性層に生成している磁壁が、前記一部を含まない所定領域内を細線方向に移動する磁壁移動素子の初期化方法であって、前記磁界印加部材が、前記所定領域を細線方向に挟む両外側に備えられて一方が他方よりも保磁力が大きく、
前記磁壁移動素子に、前記磁界印加部材の前記一方の保磁力以上の磁界を前記磁性細線の膜面垂直方向に印加する第１磁化工程と、
前記磁壁移動素子に、前記磁界印加部材の前記一方の保磁力未満かつ前記他方の保磁力以上の磁界を前記第１磁化工程と逆向きに印加する第２磁化工程と、
前記磁壁移動素子に磁界を細線方向における一方向に印加しながら、前記磁性細線に電流を細線方向に供給する初期磁区形成工程と、を順に行うことを特徴とする磁壁移動素子の初期化方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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