目的
被加工材料の表面に対する成膜処理を高速に行い、且つ広範囲に均一で高品質な皮膜を形成できる成膜装置を提供する。
効果
公知のＭＶＰ法（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅｓｈｅａｔｈ−ＶｏｌｔａｇｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎＰｌａｓｍａ法）を用いた成膜処理を行うことで、被加工材料の表面に高密度且つ均一なプラズマを発生させて、高品質な皮膜を高速に形成できる。被加工材料の電位を接地電位とすることで、成膜装置はアーキング現象の発生を抑制し、高品質な皮膜を形成できる。また、シース拡大電極に正のバイアス電圧を印加することで、成膜装置は被加工材料の前記反対側に形成されるシース層の厚みを拡大させ、広範囲に均一な皮膜を形成できる。
技術概要
導電性を有する被加工材料を内部に配置可能な処理容器と、
処理容器にガスを供給するガス供給部と、
被加工材料の皮膜形成領域に沿ってプラズマを生成させるためのマイクロ波を供給するマイクロ波供給部と、
被加工材料の皮膜形成領域に沿うシース層を拡大させるバイアス電圧を被加工材料に印加する電圧印加部と、
マイクロ波供給部から供給されるマイクロ波を被加工材料に導入する導入面を有し、導入面に対して処理容器内に突出するように配置された被加工材料に導入面からマイクロ波を導入し、バイアス電圧の印加によって被加工材料の皮膜形成領域に沿って拡大されたシース層へ、表面波として伝搬させるマイクロ波導入口と
を備えた成膜装置であって、
被加工材料は電気的に電圧印加部の接地電位と同電位に接続されており、
被加工材料の突出方向において導入面に対してマイクロ波導入口とは反対側にて形成されるシース層の厚みを拡大させるための電極であって、被加工材料の外側周囲に配置され、電圧印加部から供給される正のバイアス電圧が印加されるシース拡大電極を備えること
を特徴とする成膜装置。
基本情報
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登録者情報
その他の情報
