半導体装置を製造する方法

開放特許情報番号:L2026000601 開放特許情報登録日:2026/3/12 最新更新日:2026/3/12

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2024/2/29
公開日
2025/9/10
出願人
国立大学法人静岡大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
半導体装置を製造する方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
半導体装置を製造する方法
目的
テルルを主成分とする二次元材料を含む部位を容易にドーピングすることが可能な半導体装置を製造する方法を提供する。
効果
テルルを主成分とする二次元材料を含む部位を容易にドーピングすることができる。
技術概要
基板と、前記基板の主面に形成されたテルルを主成分とする未処理の二次元材料層とを含む中間物を準備する工程と、
前記未処理の二次元材料層に不純物をドーピングするための処理液を準備する工程と、
前記処理液に前記中間物を浸す工程と、を有し、
前記処理液は、アミノアルコールを含有する溶液である、半導体装置を製造する方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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