適用製品
深紫外光透過型透明電極付き基材及び深紫外光透過型透明電極付き基材の製造方法
目的
深紫外線に対する透過性の高い、深紫外光透過型透明電極付き基材及び深紫外光透過型透明電極付き基材の製造方法を提供する。
効果
構成元素の少ない透明導電性組成物を備え、深紫外線に対する透過性の高い、深紫外光透過型透明電極及び深紫外光透過型透明電極の製造方法を提供することができる。
技術概要
透明基材と、前記透明基材上に形成された透明酸化物層と、を備え、
前記透明基材は、サファイア基材と、窒化アルミニウム基材と、窒化アルミニウム及び窒化ガリウムの混晶で構成された基材と、からなる群から選択されるいずれかであり、
前記透明酸化物層は、ＳｎＯ↓２を主成分とし、Ｔａ元素を含む金属酸化物からなり、
前記金属酸化物のＴａ元素の量は、前記金属酸化物のＳｎ元素及びＴａ元素の和に対して０．８原子％以上７．０原子％以下である、深紫外光透過型透明電極付き基材。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
