半導体装置
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開放特許情報番号：
L2026000364
開放特許情報登録日：
2026/2/17
最新更新日：
2026/2/17
基本情報
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出願番号
特願2023-126950
公開番号
特開2025-022409
出願日
2023/8/3
公開日
2025/2/14
出願人
慶應義塾
権利化状況
権利化前
発明の名称
半導体装置
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技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
半導体装置
目的
ゼーベック素子を含む半導体装置のコストを削減し、製造効率を向上する。
効果
ゼーベック素子を含む半導体装置の製造効率を向上できる。
技術概要
半導体基板に形成された相補型電界効果トランジスタと、
前記半導体基板に形成されたゼーベック素子と、
を備える、半導体装置。
イメージ図
実施実績 ：
無
許諾実績 ：
無
特許権譲渡 ：
否
特許権実施許諾：
可
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登録者名称
学校法人慶應義塾
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関連特許
（国内）:
無
（国外）:
無
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