半導体装置

開放特許情報番号:L2026000337 開放特許情報登録日:2026/2/13 最新更新日:2026/2/13

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2024/2/28
公開日
2025/9/9
出願人
慶應義塾
権利化状況
権利化前
発明の名称
半導体装置
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
半導体装置
目的
汎用性の高い基準電圧生成回路。
効果
光の照射に基づいて基準電圧を生成できる。
技術概要
第1太陽電池セルと第2太陽電池セルとの開放電圧差に基づいて基準電圧を生成する基準電圧生成部を備える、半導体装置。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
固定URLをクリップボードにコピーしました。
Copyright © INPIT Rights Reserved