回路素子およびその製造方法

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開放特許情報番号：L2026000275 開放特許情報登録日：2026/2/5 最新更新日：2026/2/5

基本情報

出願番号

特願2024-570199

公開番号

WO2024/150768

出願日

2024/1/10

公開日

2024/7/18

出願人

国立大学法人　東京大学

権利化状況

権利化前

発明の名称

回路素子およびその製造方法

開放特許情報

技術分野

電気・電子

機能

材料・素材の製造

適用製品

回路素子およびその製造方法

目的

簡便に超伝導回路を実現するための技術を提供する。

効果

簡便に超伝導回路を実現するための技術を提供できる。

技術概要

α－Ｓｎを含む薄膜を準備する準備工程と、
前記薄膜に含まれるα－Ｓｎの一部をβ－Ｓｎに相転移させることによって、前記薄膜の面内方向にα－Ｓｎと接合されたβ－Ｓｎを生成する生成工程と、を含み、
前記薄膜に含まれるα－Ｓｎと前記生成工程において生成されたβ－Ｓｎとが回路素子を構成する、
回路素子の製造方法。

イメージ図

実施実績　　　：

無

許諾実績　：

無

特許権譲渡　　：

否

特許権実施許諾：

可

登録者情報

登録者名称

国立大学法人東京大学

その他の情報