半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体

開放特許情報番号:L2026000269 開放特許情報登録日:2026/2/5 最新更新日:2026/2/5

基本情報
出願番号
公開番号
WO2024/122643
出願日
2023/12/8
公開日
2024/6/13
出願人
国立大学法人 東京大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造 材料・素材の製造
適用製品
半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体
目的
放熱性をより向上することができる半導体装置、その製造方法、放熱膜形成方法及び配線構造体を提供する。
効果
放熱性が向上した半導体装置が得られる。
効率的に放熱膜を形成することができる。
熱が配線層絶縁膜に伝わり放熱性をより向上することができる。
技術概要
シリコン層を有する半導体基板と、
前記半導体基板を厚み方向に貫通したまたは有底の穴の前記シリコン層における内壁面に設けられた膜材料がAlNまたはBNで形成されている絶縁膜と、
前記シリコン層との間に前記絶縁膜を挟んで前記穴内に設けられた熱伝導材からなる熱伝導体と
を備える半導体チップを有することを特徴とする半導体装置。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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