素子、素子の製造方法、及びフォトニックスピンレジスタ
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開放特許情報番号：
L2026000258
開放特許情報登録日：
2026/2/3
最新更新日：
2026/2/3
基本情報
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出願番号
特願2024-541580
公開番号
WO2024/038897
出願日
2023/8/17
公開日
2024/2/22
出願人
国立大学法人 東京大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
素子、素子の製造方法、及びフォトニックスピンレジスタ
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技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
素子、素子の製造方法、及びフォトニックスピンレジスタ
目的
高速で動作するか、又は寄生容量が低い素子等を提供する。
効果
動作速度が速く、寄生容量が低い素子を実現し得る。
技術概要
絶縁層上に配置され、一方向に延在する、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなる半導体部と、
前記絶縁層上に、前記半導体部を挟むように、前記一方向に直交する方向に沿って延在し、金属又は合金からなる、１対の金属含有部と、を備える、
素子。
イメージ図
実施実績 ：
無
許諾実績 ：
無
特許権譲渡 ：
否
特許権実施許諾：
可
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登録者名称
国立大学法人東京大学
その他の情報
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関連特許
（国内）:
無
（国外）:
無
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