目的
変調効率が高いＭＯＳ型光変調器及びその製造方法を提供する。
効果
ゲート層に用いたＩＩＩ−Ｖ族半導体における電子の有効質量が小さいので、駆動電圧を印加したときの屈折率変化の大きさが大きくなるため変調効率を高くすることができる。
また、ゲート層としてのＩＩＩ−Ｖ族半導体をＳｉ層上に積層した構造を容易に得ることができる。
技術概要
光導波路を構成するｐ型のＳｉ層と、
前記光導波路上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたｎ型のＩＩＩ−Ｖ族半導体からなるゲート層と、
前記Ｓｉ層と前記ゲート層との間に駆動電圧を印加して、前記ゲート絶縁膜と前記ゲート層との界面に電子を蓄積する、前記ゲート層に接続された第１コンタクト部及び前記Ｓｉ層に接続された第２コンタクト部と
を備えることを特徴とするＭＯＳ型光変調器。
基本情報
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