目的
Ｇｄ↓５Ｇｅ↓４系化合物に添加する第三元素を探索して、液体水素温度付近から液体窒素温度付近までの２０Ｋから８５Ｋの温度範囲内で、５Ｔ磁界の下で、磁化Ｍの温度当たりの変化率ｄＭ／ｄＴ（Ａｍ↑２／ｋｇ・Ｋ）として１０以上、熱ヒステリシス△Ｔ↓（ｈｙｓ）（Ｋ）として５Ｋ以下、又は磁化Ｍ（Ａｍ↑２／ｋｇ）は１００以上の少なくとも一つを充足することで、巨大なＭＣＥが得られる磁気冷凍用材料の候補を提供する。
効果
液体水素温度付近から液体窒素温度付近までの２０Ｋから８５Ｋの温度範囲内で、５Ｔ磁界の下で、磁化Ｍの温度当たりの変化率ｄＭ／ｄＴ（Ａｍ↑２／ｋｇ・Ｋ）として１０以上５０以下、熱ヒステリシス△Ｔ↓（ｈｙｓ）（Ｋ）として０Ｋ以上５Ｋ以下、又は磁化Ｍ（Ａｍ↑２／ｋｇ）は１００以上２００以下の少なくとも一つを充足し、巨大なＭＣＥが得られる磁気冷凍用材料の候補が得られる。
技術概要
Ｇｄ（ガドリニウム）、Ｇｅ（ゲルマニウム）、ＲＥ（ＲＥはＹｂ，Ｈｏ，又はＭｇの何れか）並びに不可避的不純物からなり、次の組成式：
Ｇｄ↓（５−ｙ）ＲＥ↓ｙＧｅ↓４（ＲＥはＹｂ，Ｈｏ，又はＭｇの何れか）：０．４＜ｙ＜２．５
の組成を有する磁気冷凍用材料。
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