適用製品
ＭＥＭＳ素子、ＭＥＭＳ素子の製造方法、ＭＥＭＳ素子の剛性を制御する方法
目的
高い圧縮強度を有し、かつ、薄膜状態において初期応力を制御可能な材料を用いてＭＥＭＳ素子の剛性を制御する方法、並びに、そのようにして剛性が制御されたＭＥＭＳ素子およびその製造方法を提供する。
効果
高い圧縮強度を有し、かつ、薄膜状態において初期応力を制御可能な材料を用いてＭＥＭＳ素子の剛性を制御する方法、並びに、そのようにして剛性が制御されたＭＥＭＳ素子およびその製造方法が提供される。
技術概要
少なくとも１種類の遷移金属Ｍ１を含有する窒化物または炭窒化物からなる第１の薄膜と、少なくとも１種類の遷移金属Ｍ２を含有する窒化物または炭窒化物からなる第２の薄膜と、これらに挟まれたサスペンデッド構造体とを備え、前記第１の薄膜を構成する窒化物または炭窒化物の組成と前記第２の薄膜を構成する窒化物または炭窒化物の組成は同じであるかまたは異なることを特徴とするＭＥＭＳ素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
