半導体デバイスおよびその製造方法
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開放特許情報番号：
L2025001740
開放特許情報登録日：
2025/12/25
最新更新日：
2025/12/25
基本情報
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出願番号
特願2021-556194
公開番号
WO2021/095877
登録番号
特許第7657459号
出願日
2020/11/13
公開日
2021/5/20
出願人
国立大学法人 東京大学
特許権者
国立大学法人 東京大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
半導体デバイスおよびその製造方法
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技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造
適用製品
半導体デバイス
目的
ｐ型領域を備えるＳＴＯ半導体デバイスの提供。
効果
ＳＴＯ半導体デバイス上にｐ型領域を形成できる。
技術概要
ＳＴＯ（ＳｒＴｉＯ↓３）基板と、
前記ＳＴＯ基板上に形成され、所定のしきい値より小さい厚みを有する第１金属酸化膜と、
前記ＳＴＯ基板と前記第１金属酸化膜の界面に形成されるｐ型領域と、
を備えることを特徴とするＳＴＯ半導体デバイス。
イメージ図
実施実績 ：
無
許諾実績 ：
無
特許権譲渡 ：
否
特許権実施許諾：
可
登録者情報
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登録者名称
国立大学法人東京大学
その他の情報
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関連特許
（国内）:
無
（国外）:
無
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