目的
炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置の製造方法を提供する。
効果
炭化シリコン基板及び二酸化ケイ素膜の界面において、電気特性を劣化させる原因となる不純物準位の形成を抑制することができる。したがって、本製造方法によれば、炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置を得ることができる。
技術概要
炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置の製造方法
改善効果１
炭素原子の拡散防止：常温直接接合法により炭素原子が二酸化ケイ素膜に取り込まれない
改善効果２
不純物準位の抑制：界面での電気特性劣化要因を排除することができる
改善効果３
優れた電気特性：電子移動度の向上、リーク電流の抑制
アピール内容
従来の熱酸化法の問題を解決し、炭化シリコン基板を備える電気特性の優れた半導体装置を製造できる。
応用分野としては、ダンパー用作動流体、変位センサー素子材料、発電素子材料が考えられる。
基本情報
開放特許情報
登録者情報
その他の情報
