目的
既存の半導体素子の製造プロセスとの親和性の高い材料を用いて、光導波路を伝播する光を印加電圧に応じて変調する光変調素子を提供する。
効果
一対の電極に電圧を印加すると、Ｈｆ↓ｘＺｒ↓（１−ｘ）Ｏ↓２からなる強誘電体層を備える光導波路において、ポッケルス効果に起因して屈折率が変化するため、光導波路を伝播する光を印加電圧に応じて変調できる。さらに、Ｈｆ↓ｘＺｒ↓（１−ｘ）Ｏ↓２は、既存の半導体製造プロセスで用いられている材料であるため、既存の製造方法及び製造装置を流用して光変調素子を実用化することができる。
技術概要
光導波路と、
前記光導波路に電界を印加する一対の電極と、を備える光変調器において、
前記光導波路は、Ｈｆ↓ｘＺｒ↓(１−ｘ)Ｏ↓２（０＜ｘ＜１）で表される化合物を含有する強誘電体層を備える、光変調素子。
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