適用製品
本技術は太陽電池への応用が可能である。また、その太陽電池は、ＩｏＴデバイスのへ応用、アウトドア製品や建設材料、農業用途への活用等、様々な製品への応用が考えられる。
目的
四塩化チタンを利用して製造した光電変換素子の製造方法、及び、光電変換素子を提供することを目的とする。
効果
本発明の光電変換素子は、接合面積の拡大により電子・正孔生成が促進され、短絡電流密度が向上するという優れた効果を有する。
技術概要
本発明は、光電変換素子を効率的に製造する方法を提供します。その方法は、基板上に陰極を形成し、その上に四塩化チタン水溶液を利用してn型半導体層を作成します。続いて、n型半導体層の上にp型半導体材料の薄膜を形成し、さらにその上に陽極を重ねます。この構造ではn型とp型半導体層が組み合わされており、バルクヘテロ接合構造を採用することで優れた光電変換性能を実現しています。
特許権実施許諾：
可
実施権条件：
協議にて検討予定
基本情報
開放特許情報
登録者情報
その他の情報
