光電変換素子、光電変換層の製造方法

開放特許情報番号:L2025001508 開放特許情報登録日:2025/12/2 最新更新日:2025/12/2

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2023/2/17
公開日
2024/8/29
出願人
独立行政法人国立高等専門学校機構、株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ
特許権者
独立行政法人国立高等専門学校機構、株式会社大阪チタニウムテクノロジーズ
権利化状況
権利化済
発明の名称
光電変換素子、光電変換層の製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子 有機材料 無機材料
機能
材料・素材の製造 環境・リサイクル対策
適用製品
本技術は太陽電池への応用が可能である。また、その太陽電池は、IoTデバイスのへ応用、アウトドア製品や建設材料、農業用途への活用等、様々な製品への応用が考えられる。
目的
光電変換素子に外部バッテリーを接続する必要があるため、装置が大型化してしまう。本発明は、発電機能と蓄電機能を有するため、省スペース化を可能にする。
効果
本発明の光電変換素子は、太陽エネルギーを電気エネルギーに変換し、尚且つ、蓄電することができるという優れた効果が有する。
技術概要
本発明の光電変換素子は、2つの電極の間に配置された構造で、p型半導体層とn型半導体層を積層した設計で構成されています。p型半導体層には、p型半導体特性を持つカーボンナノチューブを使用し、n型半導体層には酸化チタン(TiO↓2)を採用しています。また、n型半導体材料には塩素を含むチタン化合物が含まれており、この光電変換層は、発生した電子と正孔を蓄える蓄電機能を兼ね備えています。製造方法としては、まず基板上に陰極を形成し、次に四塩化チタン水溶液を使用して陰極の上にn型半導体層を作ります。その後、n型半導体層の上にp型半導体材料の薄膜を形成し、最終工程としてp型半導体層の上に陽極を形成します。この方法により、高効率な光電変換素子が製造可能となります。
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
実施権条件:
協議にて検討予定
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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