サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置。

開放特許情報番号:L2025001494 開放特許情報登録日:2025/11/28 最新更新日:2025/11/28

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2023/3/1
公開日
2024/9/12
出願人
国立大学法人 東京大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置。
開放特許情報
技術分野
無機材料
機能
材料・素材の製造 機械・部品の製造 表面処理
適用製品
サファイア基板を処理する方法、サファイア基板の上にエピタキシャル薄膜を形成する方法、サファイア基板、エピタキシャル薄膜、及びそれらを備えるデバイス及び装置
目的
サファイア基板の表面を処理する方法を提供する。
効果
サファイア基板の表面を処理する方法が提供される。
サファイア基板に支持されたエピタキシャル薄膜(エピタキシャル薄膜を有するサファイア基板)が提供される。サファイア基板が取り外されたエピタキシャル薄膜が提供される。処理されたサファイア基板及び/又はエピタキシャル薄膜を備えるデバイス、装置又は中間製品が提供される。
技術概要
サファイア基板の表面を処理する方法であって、
サファイア基板を提供すること;及び
前記サファイア基板に対して、水蒸気を含む雰囲気で、熱処理を行うこと;
を備える方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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