電子デバイス及びその製造方法

開放特許情報番号:L2025001452 開放特許情報登録日:2025/11/28 最新更新日:2025/11/28

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2013/1/17
公開日
2014/7/28
出願人
国立大学法人山形大学
特許権者
国立大学法人山形大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
電子デバイス及びその製造方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
機械・部品の製造
適用製品
電子デバイス及びその製造方法
目的
オンデマンドでの対応が可能であり、高精細で簡便に形成することができる電極パターンを備えた電子デバイス及びその製造方法を提供する。
効果
フォトリソグラフィを用いることなく、オンデマンドに対応して高精細な電極パターンが形成された電子デバイスを提供することができる。
また、このような電子デバイスを簡便に得ることができる。
技術概要
基板上に、前記基板とは異なる材質からなり、前記基板よりも高い表面エネルギーを持つ第一層を、レーザ光の照射により電極パターン形状に形成する工程と、
前記第一層の上面に、導電性ナノインクにより形成された第二層を形成する工程と
を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
国立大学法人山形大学
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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