目的
負性微分抵抗（ＮＤＲ）を示す領域の電圧区間の幅が広く、その始端と終端の電流値の比が大きい負性微分抵抗素子を提供する。
効果
ＮＤＲを示す領域の電圧区間の幅が広く、その始端と終端の電流値の比が大きい負性微分抵抗素子を提供することができる。
技術概要
一対の電極と、該一対の電極の間に位置する半導体層と、を具える負性微分抵抗素子であって、
前記半導体層が、タングステンを含むポリオキソメタレートと、平滑化剤と、を含み、
前記半導体層の厚さが、２００ｎｍ以上であり、
前記平滑化剤が、ジピラジノ［２，３−ｆ：２’，３’−ｈ］キノキサリン−２，３，６，７，１０，１１−ヘキサカルボニトリル（ＨＡＴ−ＣＮ）であることを特徴とする、負性微分抵抗素子。
基本情報
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