目的
電界効果トランジスタのゲート酸化膜として用いられるハフニウム酸化物薄膜を低温で形成することと、プラスティック基材に低温でハフニウム酸化物薄膜、ジルコニウム酸化物薄膜を形成する。
効果
本発明を用いることで、集積回路の電界効果トランジスタに用いられるゲート酸化膜と
して使われるハフニウム酸化物膜、あるいはプラスティックなどに保護膜として使われるハフニウム酸化物膜、ジルコルニウム酸化物膜を形成する温度を低減させる効果をもたらす。
技術概要
固体基板上に酸化物薄膜を形成する酸化物薄膜の形成方法において、反応容器内に固体基板を設置し、固体基板の温度を、０℃より高く、１５０℃以下に保持し、反応容器内にテトラキス（エチルメチルアミノ）ハフニウムあるいは、テトラキス（エチルメチルアミノ）ジルコニウムを含む有機金属ガスを充満させる工程と、前記有機金属ガスを前記反応容器から排気するか又は前記反応容器内に不活性ガスを充満させる工程と、酸素ガスを水バブラーに通して生成した酸素と水蒸気とを含むガスをプラズマ化して酸素及び水蒸気を励起したプラズマガスを生成し、当該プラズマガスを前記反応容器に導入する工程と、前記反応容器からプラズマガスを排気するか又は前記反応容器内に不活性ガスを充満させる工程とを含む一連の工程を繰り返すことにより酸化物薄膜を形成することを特徴とする酸化物薄膜の形成方法。
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開放特許情報
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