適用製品
薄膜トランジスタおよび薄膜トランジスタの製造方法
目的
金属酸化物半導体層に対するポリイミド絶縁膜の界面特性を改善し、高性能でフレキシブルなＴＦＴとし得る薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
効果
酸化アルミニウム層からなる層間絶縁膜を積層することで絶縁膜の表面の平坦性を向上させることができる。また、界面に共有結合を形成し、ポリイミド有機絶縁膜と比べて平坦な連続した界面を形成することが可能となる。
また、ポリイミドは高い耐熱性を有しているため、金属酸化物半導体層や電極層を形成するためのプロセス温度に耐えることが可能である。
塗布製膜技術を用いて少なくとも１つの製造工程を行うようにしているため、その工程については、高価な真空装置を用いることなく、高性能の薄膜トランジスタを作成することができる。
技術概要
基板上にゲート電極を形成する第１工程、該ゲート電極上にポリイミド材料からなるゲート絶縁膜を形成する第２工程、該ゲート絶縁膜上に、酸化アルミニウムからなる層間絶縁膜を形成する第３工程、該層間絶縁膜上に酸化物半導体層を形成する第４工程、および該酸化物半導体層上にソース/ドレイン電極を形成する第５工程を、この順に行うものであり、
これらの工程のうち、少なくとも前記第３工程を塗布製膜法を用いて行い、該第３工程では、前記ゲート絶縁膜上に、前記酸化アルミニウムからなる前駆体溶液を塗布した後、500℃以下の温度で焼成処理を施して前記層間絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
