湿度センサおよびその製造方法

開放特許情報番号:L2025001214 開放特許情報登録日:2025/10/28 最新更新日:2025/10/28

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2018/4/4
公開日
2019/10/24
出願人
国立大学法人山形大学
特許権者
国立大学法人山形大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
湿度センサおよびその製造方法
開放特許情報
技術分野
情報・通信
機能
機械・部品の製造
適用製品
湿度センサ
目的
有機半導体を用いて形成するセンシング回路や無線通信回路等との一体化に適している半導体高分子層を感湿体として、可撓性の基材上に塗布により薄くて柔軟に形成ができ生体や物体への貼付に優れ、直流電圧の測定で湿度上昇時と湿度下降時とで抵抗値の差を抑制し、湿度変化に対する抵抗値の相関が直線型になるので、湿度の経時的な変化を容易に精度よくモニタリングするのに好適な湿度センサを提供する。
効果
感湿体として半導体高分子層を用いるので、有機半導体を用いて形成するセンシング回路や無線通信回路等との一体化に適している。可撓性の基材上に塗布により薄くて柔軟な湿度センサが形成できるので、生体や物体への貼付に優れ、直流電圧の測定で湿度上昇時と湿度下降時とで抵抗値の差を抑制し、湿度変化に対する抵抗値の相関が直線型になるので、湿度の経時的な変化を容易に精度よくモニタリングすることができる。
技術概要
基材上に第一電極層と第二電極層との間に直流電圧が印加され、
前記第一電極層と前記第二電極層の間の電流を計測して半導体高分子層の抵抗値を算出する湿度センサであって、
プラスチックを含む可撓性の基材と、
前記基材上にパターン形成された第一電極層と、
前記基材上に前記第一電極層から離間してパターン形成された第二電極層と、
平面視で前記第一電極層と前記第二電極層とに重畳する半導体高分子層と、
前記半導体高分子層の少なくとも一部が覆われる絶縁性ポリアニリン高分子層と、
からなる湿度センサ。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
国立大学法人山形大学
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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