適用製品
薄膜トランジスタを形成するための金属酸化物膜の製造方法、それを用いて製造された金属酸化物膜、およびこの金属酸化物膜を搭載した電子デバイス
目的
真空成膜法や複雑なプロセスを必要とせず、高精細なディスプレイの駆動にも対応し得る高いキャリア移動度を得ることのできる、緻密な金属酸化物膜の製造方法、それを用いて製造された金属酸化物膜および電子デバイスを提供する。
効果
金属酸化物膜の製造方法、それを用いて製造された金属酸化物膜および電子デバイスによれば、真空法やフォトリソグラフィーの手法を用いないで行うことができることから、大掛かりな設備や複雑なプロセスを必要とせず金属酸化物膜の製造を簡易に行うことができる。
膜厚を５nm以下まで薄くすることにより、高いキャリア移動度を得ることができる。
技術概要
インジウムを金属成分の主成分とした金属塩からなる無機酸塩を、水溶媒が５０％以上の重量を占める溶媒に溶解して、0.01M以上、0.20M以下のモル濃度の水溶性の金属酸化物の前駆体溶液を生成する前駆体溶液生成工程と、
前記前駆体溶液生成工程において生成された前記前駆体溶液を所定の被塗布体上に塗布する前駆体溶液塗布工程と、
前記前駆体溶液塗布工程で所定の被塗布体上に塗布された前記金属酸化物の前駆体溶液の所定領域にエネルギー線を照射し、該所定領域を酸化させて、膜厚が0.5nm以上、5.0nm以下、かつ膜密度が6.0g/cm↑3以上、7.1g/cm↑3以下の金属酸化物膜を生成する金属酸化物膜生成工程と、
前記金属酸化物膜生成工程において生成された前記金属酸化物膜をパターニングするエッチング工程と、
を有することを特徴とする金属酸化物膜の製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
その他の情報
