多値磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、多値磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム

開放特許情報番号:L2025000987 開放特許情報登録日:2025/9/11 最新更新日:2025/9/11

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2022/12/26
公開日
2024/7/8
出願人
学校法人 関西大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
多値磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、多値磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
制御・ソフトウェア
適用製品
多値磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、多値磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム
目的
複数のビットを効率的に書き込むことができる多値磁気メモリ素子または磁気メモリ装置を提供する。
効果
複数のビットを効率的に書き込むことができる多値磁気メモリ素子または磁気メモリ装置を提供することができる。
技術概要
複数のビットに対応する複数の磁区を書き込み可能な磁性細線と、
所定の磁化方向を維持する固定層と、
前記磁性細線の一端と前記固定層との間に配置された中間層と、
前記磁性細線の他端に接続され、第1方向に磁化方向が固定された第1固定部と、
前記磁性細線の前記他端に接続され、前記第1方向とは異なる第2方向に磁化方向が固定された第2固定部と、を備える、多値磁気メモリ素子。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
登録者名称
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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