磁気素子および磁気構造体の生成方法
ウインドウを閉じる
固定URLをコピー
印刷
XにPOST
公開公報を見る
経過情報を見る
開放特許情報番号：
L2025000985
開放特許情報登録日：
2025/9/11
最新更新日：
2025/9/11
基本情報
‐ 閉じる
出願番号
特願2023-043519
公開番号
特開2024-132661
出願日
2023/3/17
公開日
2024/10/1
出願人
学校法人 関西大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
磁気素子および磁気構造体の生成方法
登録者への連絡はこちら
開放特許情報
‐ 閉じる
技術分野
電気・電子
機能
検査・検出
適用製品
磁気素子および磁気構造体の生成方法
目的
磁気構造体を密に形成する磁気素子を実現する。
効果
磁気構造体を密に形成する磁気素子を実現することができる。磁気メモリの高集積化、およびコストダウンが可能になる。
技術概要
線状の磁性部材と、
前記磁性部材に、スキルミオンである第１磁気構造体を書き込み、前記第１磁気構造体と繋がるように、スキルミオンである第２磁気構造体を書き込むことにより、前記第１磁気構造体と前記第２磁気構造体とが互いに繋がった連結磁気構造体を前記磁性部材に形成する書込部を備える、磁気素子。
イメージ図
実施実績 ：
無
許諾実績 ：
無
特許権譲渡 ：
否
特許権実施許諾：
可
登録者情報
‐ 閉じる
登録者名称
関西大学
その他の情報
‐ 閉じる
関連特許
（国内）:
無
（国外）:
無
固定URLをクリップボードにコピーしました。
Copyright © INPIT Rights Reserved
基本情報
開放特許情報
)
登録者情報
その他の情報
