適用製品
多値磁気メモリ素子、磁気メモリ装置、多値磁気メモリ素子の制御方法、および制御プログラム
目的
多ビットメモリを簡易な回路構成により実現できる多値磁気メモリ素子を提供する。
効果
多ビットメモリを簡易な回路構成により実現できる。
技術概要
複数のビットに対応する複数の磁区を書き込み可能な磁性細線であって、当該複数の磁区のそれぞれは、当該磁性細線の延伸方向と略平行な方向の磁化を有する、磁性細線と、
前記磁性細線の延伸方向と略平行な方向の磁化を有する固定層と、
前記磁性細線の一端と前記固定層との間に配置された非磁性の第１中間層と、
前記磁性細線の他端と電気的に接続され、前記磁性細線の磁化と略垂直な磁化を有する面内磁化層と、を備え、
平均電流値が第１閾値以上かつ第２閾値未満の第１電流が前記磁性細線から前記面内磁化層に流れると、前記磁性細線の前記他端の側の磁区が有する磁化方向と同じ磁化方向を有する磁区が前記磁性細線に書き込まれ、
平均電流値が第２閾値以上の第２電流が前記磁性細線から前記面内磁化層に流れると、前記磁性細線の前記他端の側の磁区が有する磁化方向と異なる磁化方向を有する磁区が前記磁性細線に書き込まれる、多値磁気メモリ素子。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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