半導体光センサを用いた光波長の特定方法

開放特許情報番号:L2025000921 開放特許情報登録日:2025/9/2 最新更新日:2025/9/2

基本情報
出願番号
公開番号
出願日
2023/5/9
公開日
2024/11/21
出願人
国立大学法人豊橋技術科学大学
権利化状況
権利化前
発明の名称
半導体光センサを用いた光波長の特定方法
開放特許情報
技術分野
電気・電子 情報・通信
機能
検査・検出
適用製品
フォトトランジスタまたはフォトダイオードを用いた光波長の特定方法
目的
複数の波長を有する入射光について、波長毎に光強度を求めることができなかった
課題を解決する。
効果
1つの光検出器で波長を特定でき、簡便な構成で高精度かつ小型な波長の特定方法を提供することができる。
技術概要
半導体基板上の所定の領域に絶縁膜を介して透明性電極を備えた、入射光により電荷を発生する光電荷変換領域を有し、
当該光電荷変換領域からの電荷排出を第1及び第2の電荷排出経路の2経路に分割するポテンシャル分布を与え、当該第1及び第2の電荷排出経路は第1及び第2の光起電流検出電極に接続され、当該第1及び第2の光起電流検出電極から検出される第1及び第2の光起電流を検出する手段を有する半導体光センサを使用するものであって、
予め光波長が特定された入射光のもとで前記透明性電極に所定のフォトゲート電位を印加して前記第1及び第2の光起電流の電流比を取得し、当該電流比から当該フォトゲート電位に対する空乏層深さを求め、
特定対象となる光の波長を有する入射光によって、特定される電流比と前記空乏層深さから特定対象となる光の吸収係数を求め、当該吸収係数から対象光の波長を特定することを特徴とする光波長の特定方法。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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