電界記録型磁気メモリ

開放特許情報番号:L2025000863 開放特許情報登録日:2025/9/3 最新更新日:2025/9/3

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2015/6/23
公開日
2017/1/12
出願人
国立大学法人秋田大学
特許権者
国立大学法人秋田大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
電界記録型磁気メモリ
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
制御・ソフトウェア
適用製品
電界記録型の磁気メモリ
目的
従来提案されているレーストラックメモリよりもさらに消費電力を低減することが可能な磁気メモリを提供する。
効果
従来提案されているレーストラックメモリよりも更に消費電力を低減することが可能である。
技術概要
1次元的に延在する第1の強磁性導電層、および、第1の強磁性導電層の一方の面の少なくとも一部に積層された、強磁性強誘電性材料の層である強磁性強誘電層を含む、記録媒体と、
強磁性強誘電層に電場を印加する、1対の書き込み用電極と、
記録媒体の長手方向に離隔して、第1の強磁性導電層に接して配設された、1対のビット移動用電極と、
第1の強磁性導電層の表面の一部に隣接して配設された非磁性層と、
非磁性層の表面に配設され、非磁性層を挟んで第1の強磁性導電層と向かい合う、第2の強磁性導電層と、
1対の書き込み用電極を介して強磁性強誘電層に電場を印加することにより、電場の方向に対応して定まる方向の磁化を強磁性強誘電層に生じさせ、強磁性強誘電層に生じた磁化によって電流磁界を用いることなく第1の強磁性導電層に磁気情報を記録する、書き込み回路と、
1対のビット移動用電極を介して第1の強磁性導電層に電流を流すことにより、第1の強磁性導電層中の磁壁を移動させる、ビット移動回路と、
第1の強磁性導電層と第2の強磁性導電層との間の電気抵抗に応じた信号を得る、読み取り回路と
を有することを特徴とする、電界記録型磁気メモリ。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
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