適用製品
本特許は、光学材料や電子材料として使用される高純度蛍石の製造に適しています。特に、光学レンズやプリズム、半導体製造におけるエッチングプロセスなど、高精度が求められる分野での利用が期待されます。
目的
本特許の目的は、従来の製造方法における金属不純物の混入を最小限に抑え、高純度の蛍石を効率的に製造することです。これにより、品質の安定性と供給の確実性を向上させることを目指しています。
効果
本特許により、反応器の内壁温度を110℃以上に保つことで、金属のコンタミネーションを大幅に低減し、高純度の蛍石を製造することが可能です。従来技術と比較して、フッ酸の生成を抑制し、腐食のリスクを低減することができます。また、原料ガスを効率的に利用することで、コストダウンも実現可能です。これにより、製造プロセス全体の効率が向上し、製品の品質が安定します。
技術概要
本特許は、カルシウムの炭酸塩や硝酸塩などのカルシウム化合物を反応器内に配置し、フッ化水素を含む原料ガスを導入して反応させることで蛍石を得る方法です。反応器の内壁を110℃以上に維持することで、金属のコンタミネーションを抑え、高純度の蛍石を効率的に製造します。さらに、ガス供給装置と反応器の間に加熱部を設けることで、原料ガスを適切な温度に加熱し、反応効率を高めています。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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