目的
磁区を磁性細線に高密度に形成することができる磁性細線メモリを提供する。
効果
記録電流を低減することで、同じ記録電流で比べたときに磁性細線に磁区を従来よりも高密度に形成することができる。
線記録密度を高めることで、磁区を磁性細線に高密度に形成することができる。
２つの記録素子を備えるので、安定した形状の磁区を磁性細線に高密度に形成することができる。
技術概要
薄膜状の磁性体からなる少なくとも１つの磁性細線と、
記録電流を流す導体からなり前記磁性細線の膜厚方向に層間絶縁膜を介して前記磁性細線と交差するように配設された記録素子と、を備え、
前記磁性細線は、前記磁性細線の長手方向において局所的に膜厚が他の領域における膜厚よりも小さく形成された凹部を備え、
前記凹部は、前記記録素子に隣り合って位置する第１の所定長の範囲の領域に配設されており、
前記凹部は、前記磁性細線の長手方向に直交する幅方向に亘って形成され、
前記凹部の一方の上縁部に隣り合って上流側に前記記録素子が配設されており、
前記磁性細線は、前記磁性細線の膜厚方向に突設された凸部をさらに備え、
前記凸部は磁性体からなり、前記磁性細線の長手方向において前記凹部の他方の上縁部に隣り合って下流側に位置する領域に配設されていることを特徴とする磁性細線メモリ。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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