目的
ｎ型の酸化物半導体をチャネルとして用いた複数のＡＦｅＦＥＴを有する不揮発性記憶装置において、安定したＡＦｅＦＥＴの消去動作を実現する。
効果
酸化物半導体と反強誘電体とを組み合わせ、かつ、反強誘電体の分極特性曲線のうちプラス側のヒステリシスループを選択的に用いることにより、上述の欠点を克服し、安定した消去動作を実現している。
技術概要
複数の不揮発性記憶素子を含む不揮発性記憶装置であって、
前記不揮発性記憶素子は、
金属酸化物を含む半導体層と、
前記半導体層に対向するゲート電極と、
前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられた反強誘電体で構成されるゲート絶縁層と、
を備え、
前記ゲート電極を構成する第１材料の電子親和力が、前記半導体層を構成する第２材料の電子親和力より小さく、前記第２材料がｎ型半導体である、
不揮発性記憶装置。
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